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SZMB-9-B防爆型磁电转速传感器

描述:SZMB-9-B防爆型磁电转速传感器:Insb与硅衬底霍尔器件典型工作电流为10mA。而化镓典型工作电流为2 mA。作为低弱磁场测量,我们希望传感器自身所需的工作电流越低越好。

更新时间:2020-10-24
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厂商性质:生产厂家
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SZMB-9-B防爆型磁电转速传感器

转速传感器由磁敏电阻作感到元件,是新型的转速传感器。中央部件是采用磁敏电阻动作检测的元件,再经历全新的信号打点电途令噪声消重,效力更完备。通过与其它类型齿转速传感器的输出波形比照,所测到转速的偏差极小以及线性个性具有很好的类似性.感到对象为磁性资料或导磁资料,如磁钢、铁和电工钢等。当被测体上带有突出(或凹陷)的磁性或导磁资料,跟着被测物体转动时,传感器输出与回旋频率干系的脉冲信号,抵达测速或位移检测的发讯主意。

SZMB-9-B防爆型磁电转速传感器

简介

磁敏式传感器都是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变其运动方向这一特性而制成的。(磁电效应)。按其结构可分为体型和结构两大类。

体型的有霍尔传感器,其主要材料InSb(锑化铟)、InAs(化铟)、Ge(锗)、Si、GaAs等和磁敏电阻InSb、InAs。

结型的有磁敏二极管Ge、Si,磁敏晶体管Si。则材料的电阻将减小;如果磁化方向转向平行于电流的方向,则材料的电阻将增大。。除上述应用外,磁电式传感器还常用于扭矩、转速等测量。

磁阻传感器,磁敏二极管等是继霍尔传感器后派生出的另一种磁敏传感器。采用的半导体材料于霍尔大体 相同。但这种传感器对磁场的作用机理不同,传感器内载流子运动方向与被检磁场在一平面内。(顺便提醒一点,霍尔效应于磁阻效应是并存的。在制造霍尔器件时 应努力减少磁阻效应的影响,而制造磁阻器件时努力避免霍尔效应(在计算公式中,互为非线性项)。在磁阻器件应用中,温度漂移的控制也是主要矛盾,在器件制 备方面,磁阻器件由于与霍尔不同,因此,早期的产品为单只磁敏电阻。由于温度漂移大,现在多制成单臂(两只磁敏电阻串联)主要是为补偿温度漂移。目前也有 全桥产品,但用法(目的)与霍尔器件略有差异。据报导磁阻器件的响应速度同霍尔1uS量级。

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